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方案介紹

碳化硅中陰陽離子的測定

碳化硅（SiC）又名金剛砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。碳化硅有化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好等特點，高純度碳化硅可制造半導體和碳化硅纖維。碳化硅中的雜質陰陽離子會對其性能產生影響，需要進行檢測以提高純化技術。

色譜條件

（1）常規陰離子

分析柱：SH-G-1+SH-AC-11

流動相：10 mM KOH（EG）

流速：1.0 mL/min

柱溫：45℃

抑制器：SHY-A-6

進樣體積：25 μL

前處理：樣品稀釋適當倍數過 0.22 μm 一次性針頭過濾器和銀-鈉柱進樣分析。